Prentsa-paketea IGBT
Prentsa-paketea IGBT (IEGT)
| MOTA | VDRM V | VRRM V | IT (AV)@80℃ A | ITGQM@CS A/µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Ohar:D- diodo zatia, A-diodo zatirik gabe
Ohikoki, soldadura kontaktuaren IGBT moduluak DC transmisio-sistema malguaren etengailuetan aplikatzen ziren.Modulu paketea alde bakarreko beroa xahutzea da.Gailuaren potentzia-ahalmena mugatua da eta ez da egokia seriean konektatzeko, bizitza-iraupen eskasa aire gazian, bibrazio eskasa kolpeen aurkako edo neke termikoa.
Prentsa-kontaktu mota berriak potentzia handiko prentsa-pakete IGBT gailuak soldadura-prozesuan hutsik dauden arazoak, soldadura-materialaren neke termikoa eta alde bakarreko beroa xahutzearen eraginkortasun baxua ez ezik, hainbat osagairen arteko erresistentzia termikoa ere ezabatzen du. tamaina eta pisua gutxitu.Eta nabarmen hobetu IGBT gailuaren lan eraginkortasuna eta fidagarritasuna.Nahiko egokia da DC transmisio-sistema malguaren potentzia handiko, tentsio handiko eta fidagarritasun handiko eskakizunak asetzeko.
Soldadura kontaktu mota IGBT prentsa-paketearekin ordezkatzea ezinbestekoa da.
2010az geroztik, Runau Elektronika IGBT motako prentsa-paketearen gailu berri bat garatzeko landu zen eta 2013an produkzioan arrakasta izan zuen. Errendimendua nazio mailako kualifikazioaren arabera ziurtatu zen eta puntako lorpena amaitu zen.
Orain IC sortako prentsa-pakete serieko IGBT fabrikatu eta eman ditzakegu 600Atik 3000Ara eta VCES sorta 1700Vetik 6500Vra.Txinan egindako prentsa-paketearen IGBT Txinan Txinan DC transmisio-sistema malguetan aplikatzeko aukera bikaina espero da eta Txinako potentzia elektronika industriaren mundu mailako beste mugarri bat bihurtuko da abiadura handiko tren elektrikoaren ondoren.
Modu tipikoaren sarrera laburra:
1. Modua: Prentsa-paketea IGBT CSG07E1700
●Ezaugarri elektrikoak ontziratu eta prentsatu ondoren
● Alderantzizkoaparaleloakonektatutaazkar berreskuratzeko diodoaondorioztatu zuen
● Parametroa:
Balio baloratua (25 ℃)
a.Kolektore-igorlearen tentsioa: VGES=1700（V）
b.Ate-igorlearen tentsioa: VCES=±20（V）
c.Kolektore-korrontea: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Kolektorearen potentzia xahutzea: PC=4440（W）
e.Lan-junturaren tenperatura: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Biltegiratze tenperatura: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Kontuan izan: gailua kaltetuta egongo da balio baloratua gainditzen badu
ElektrikoaCezaugarriak, TC＝125℃，Rth (ren erresistentzia termikoabidegurutzeakasua）ez dago barne
a.Atearen ihes-korrontea: IGES=±5（μA）
b.Kolektore-igorlearen blokeo korrontea ICES=250 (mA)
c.Kolektore-igorlearen asetze-tentsioa: VCE(sat)=6(V)
d.Ate-igorlearen atalase-tentsioa: VGE(th)=10(V)
e.Pizteko denbora: Ton=2,5μs
f.Itzaltzeko denbora: Toff=3μs
2. Modua: Prentsa-paketea IGBT CSG10F2500
●Ezaugarri elektrikoak ontziratu eta prentsatu ondoren
● Alderantzizkoaparaleloakonektatutaazkar berreskuratzeko diodoaondorioztatu zuen
● Parametroa:
Balio baloratua (25 ℃)
a.Kolektore-igorlearen tentsioa: VGES = 2500 (V)
b.Ate-igorlearen tentsioa: VCES=±20（V）
c.Kolektore-korrontea: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Kolektorearen potentzia xahutzea: PC=4800（W）
e.Lan-junturaren tenperatura: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Biltegiratze tenperatura: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Kontuan izan: gailua kaltetuta egongo da balio baloratua gainditzen badu
ElektrikoaCezaugarriak, TC＝125℃，Rth (ren erresistentzia termikoabidegurutzeakasua）ez dago barne
a.Atearen ihes-korrontea: IGES=±15（μA）
b.Kolektore-igorlearen blokeo korrontea ICES=25（mA）
c.Kolektore-igorlearen asetze-tentsioa: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Ate-igorlearen atalase-tentsioa: VGE(th)=6.3(V)
e.Pizteko denbora: Ton=3,2μs
f.Itzaltzeko denbora: Toff=9,8μs
g.Diodo Aurrerako tentsioa: VF=3,2 V
h.Diodoaren Alderantzizko Berreskuratze Denbora: Trr=1,0 μs
3. Modua: Prentsa-paketea IGBT CSG10F4500
●Ezaugarri elektrikoak ontziratu eta prentsatu ondoren
● Alderantzizkoaparaleloakonektatutaazkar berreskuratzeko diodoaondorioztatu zuen
● Parametroa:
Balio baloratua (25 ℃)
a.Kolektore-igorlearen tentsioa: VGES = 4500 (V)
b.Ate-igorlearen tentsioa: VCES=±20（V）
c.Kolektore-korrontea: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Kolektorearen potentzia xahutzea: PC=7700（W）
e.Lan-junturaren tenperatura: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Biltegiratze tenperatura: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Kontuan izan: gailua kaltetuta egongo da balio baloratua gainditzen badu
ElektrikoaCezaugarriak, TC＝125℃，Rth (ren erresistentzia termikoabidegurutzeakasua）ez dago barne
a.Atearen ihes-korrontea: IGES=±15（μA）
b.Kolektore-igorlearen blokeo-korrontea ICES=50（mA）
c.Kolektore-igorlearen asetze-tentsioa: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Ate-igorlearen atalase-tentsioa: VGE(th)=5,2 (V)
e.Pizteko denbora: Ton=5,5μs
f.Itzaltzeko denbora: Toff=5,5μs
g.Diodo Aurrerako tentsioa: VF=3,8 V
h.Diodoaren Alderantzizko Berreskuratze Denbora: Trr=2,0 μs
Ohar:Prentsa-pakete IGBT abantaila da epe luzerako fidagarritasun mekaniko handian, kalteekiko erresistentzia handian eta prentsa konektatzeko egituraren ezaugarrietan, erosoa da serieko gailuetan erabiltzeko, eta GTO tiristore tradizionalarekin alderatuta, IGBT tentsio-gidatze metodoa da. .Hori dela eta, funtzionatzeko erraza, segurua eta funtzionamendu sorta zabala da.