Fase-kontroleko tiristorea (aleazio mota)

Deskribapena:

Tiristorea, Silicon Control Rectifier (SCR) izenez ere ezagutzen dena, potentzia handiko erdieroale gailu bat da, hiru PN egituraz osatutakoa.Errendimenduari dagokionez, tiristoreak noranzko bakarreko eroankortasuna izateaz gain, siliziozko zuzengailuaren elementuak baino kontrolagarritasun baliotsuagoa ere badu, hau da, bi eroapen-egoera eta off-egoera baino ez ditu, potentzia handia kontrolatzeko potentzia txikiarekin, potentzia anplifikazioa ehunka edo arte. milaka aldiz.Erreakzioa oso azkarra da, mikrosegundotan pizten eta itzaltzen da.Kontaktu gabeko funtzionamendua, txinpartarik, zaratarik gabe, eraginkortasun handia eta kostu txikia den bitartean.Hori dela eta, batez ere potentzia handiko sisteman, tiristorea oso erabilia izan da zuzentzaile-zirkuituetan, saihesbide-etengailu estatikoan, kontakturik gabeko irteera-etengailuan eta beste zirkuitu batzuetan.

RUNAU Electronics-en tiristoreak fabrikatzeko estandarra eta prozesatzeko teknologia 1980ko hamarkadatik AEBetatik sartu zen, Txinan tiristoreak fabrikatzeko aitzindari gisa, RUNAUko talde teknikoak puntako ezagutza eta fabrikazio esperientzia zabala lortu zituen 30 urte baino gehiagoz.Fabrikazio-prozesu tradizionalaren oinarrian, RUNAU Elektronika-ko talentu-teknikariek tiristorea fabrikatzeko estatu-arteko teknologia garatu zuten Europako produktuen ezaugarri abantailatsuekin, kalitatea eta errendimendua asko hobetzen dira, potentzia-elektronikaren aplikazioan garaipen handiak lortu dira. eremuak, eta balio gehiago sortu zen bazkideentzat.

Sarrera:

1. Txipa

RUNAU Electronics-ek fabrikatutako tiristore txipa aleazio sinterizatuaren teknologia erabiltzen da.Silizio eta molibdeno oblea aluminio hutsarekin (% 99,999) aleaziorako sinterizatu zen hutsean eta tenperatura altuko ingurunean.Sinterizazio-ezaugarrien administrazioa tiristorearen kalitatean eragiteko funtsezko faktorea da.RUNAU Elektronikaren ezagutza, aleazio-junturaren sakonera, gainazalaren lautasuna, aleazio-barrunbea eta difusio-trebetasun osoa, erdiko atea, eraztun-zirkulu-eredua kudeatzeaz gain, tiristorearen eroapen-eragiketa fidagarria eta eraginkorra ahalbidetzeko aplikatu zen. kalitate handiko errendimendua bermatu.

2. Kapsulatzea

Molibdenozko oblearen eta kanpoko paketeen lautasuna eta paralelismoa zorrotz kontrolatuz, txipa eta molibdenozko oblea kanpoko paketearekin estu eta erabat integratuko dira.Horrelako korronte igoeraren eta zirkuitu laburren korronte altuaren erresistentzia optimizatuko da.Eta elektroien lurrunketa teknologiaren neurketa siliziozko oblearen gainazalean aluminiozko film lodi bat sortzeko erabili zen, eta molibdenozko gainazalean estalitako rutenio geruzak neke termikoaren erresistentzia asko hobetuko du, tiristorearen lan-bizitza nabarmen handituko da.

Zehaztapen teknikoa

1. Fase kontrolatutako tiristorea RUNAU Elektronikak fabrikatutako aleazio motako txiparekin, I-ren gama_TAV300A-tik 6000A-ra eta V-ra_DRM/V_RRM800V-tik 4400V-ra.
2. I_GT, V_GTeta biok_H25 ℃-ko proba-balioak dira, bestela adierazi ezean, gainerako parametro guztiak T azpian dauden proba-balioak dira_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Uhin erdi sinusoidala korrontearen oinarri-zabalera.50 Hz-tan, I²t=0,005I²FSM (A²S);
4. 60 Hz-tan: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8,3 ms)=I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametroa: